В России представили установку для химического осаждения на кремниевых пластинах

Разработка под названием «Изофаз-Д» впервые была показана в рамках международной выставки ExpoElectronica 2026, которая проходила с 14 по 16 апреля в Москве.

Научно-исследовательский институт точного машиностроения (НИИТМ) впервые показал установку «Изофаз-Д», которая используется для плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на кремниевых пластинах. Устройство привезли на выставку ExpoElectronica 2026. Как пояснил автор проекта в рамках разговора с изданием «Телеспутник», технология является начальным этапом производства микросхем, так что она необходима для развития суверенной микроэлектроники.

«Изофаз-Д» работает автоматически: установка загружает пластины диаметром 100, 150 и 200 мм, а после проводит вакуумирование и обработку. При этом компоновка установки модульная, образец состоит из рабочего реактора, камеры охлаждения и системы ориентирования. Процесс осаждения диэлектрических слоев происходит в рабочей камере, во время нагрева в глубоком вакууме. Внутрь подаются необходимые газы, включается генератор, зажигается плазма и начинается реакция.

Как уточнил главный технолог НИИТМ Денис Костюков, этот процесс — один из важнейших этапов при производстве микроэлектроники. В рамках него на поверхность кремниевых пластин наносят тончайший слой изолирующего материала, который предотвратит утечку тока между миллиардами транзисторов на чипе. И чем равномернее осаждение, тем выше быстродействие и надежность. А установка «Изофаз-Д» способна осаждать пленку даже на структуры с «развитым рельефом».